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赫尔微（深圳）半导体有限公司成立于 2008 年是一家专门从事高性能模拟及数模混合集成电路设计的高科技技术企业。
公司拥有一支由多位国内外著名院校毕业的博士及具有多年集成电路与系统设计经验的高素质工程师组成的设计团队,凭借著多年的设计经验,通过创新的思维,开发了一系列的低功耗,高耐压的电源 IC、高精度的ADC/DAC、 白光驱动 IC、升降压 DC/DC 以及定制的三相可控硅移相触发电路等产品。
- 商品图片
- 产品名称
- 沟道类型
- 漏极电压(V)
- 漏极电流(A)
- 导通电阻4.5V
- 导通电阻10V
- 封装外形
- 操作
-
- HE2300
- 沟道类型 N
- 漏极电压(V) 20
- 漏极电流(A) 6
- 导通电阻4.5V 32mΩ
- 导通电阻10V 25mΩ
- 封装外形 SOT23-3
-
- HE2301
- 沟道类型 P
- 漏极电压(V) -20
- 漏极电流(A) -2.8
- 导通电阻4.5V 100mΩ
- 导通电阻10V -
- 封装外形 SOT23-3
-
- HE2302
- 沟道类型 N
- 漏极电压(V) 20
- 漏极电流(A) 3
- 导通电阻4.5V 40mΩ
- 导通电阻10V -
- 封装外形 SOT23-3
-
- HE3400
- 沟道类型 N
- 漏极电压(V) 30
- 漏极电流(A) 5.8
- 导通电阻4.5V 33mΩ
- 导通电阻10V 28mΩ
- 封装外形 SOT23-3
-
- HE3401
- 沟道类型 P
- 漏极电压(V) -30
- 漏极电流(A) -4
- 导通电阻4.5V 65mΩ
- 导通电阻10V 53mΩ
- 封装外形 SOT23-3
-
- HE3414
- 沟道类型 N
- 漏极电压(V) 20
- 漏极电流(A) 4.2
- 导通电阻4.5V 30mΩ
- 导通电阻10V -
- 封装外形 SOT23-3
-
- HE3420
- 沟道类型 N
- 漏极电压(V) 20
- 漏极电流(A) 6.3
- 导通电阻4.5V 22mΩ
- 导通电阻10V 18mΩ
- 封装外形 SOT23-3
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